SK 海力士 8 月 28 日宣布，位于印第安纳州西拉法叶的 AI 内存先进封装基地已于当地时间 8 月 27 日动工，投资总额超过 40 亿美元。这是它在美国的第一个 HBM 生产基地。
时间表是洁净室 2028 年 10 月开放，2029 年下半年开始下一代 HBM 量产。商业运营期预计雇佣约 1000 名员工，建设加运营合计带动约 7000 个直接和间接岗位。目前有超过 100 家公司正在被评估为材料、零部件和设备供应商。
分工方式是韩国生产先进晶圆，运到印第安纳完成先进封装和测试，以美国制造的产品供应美国客户。同址还要建一个先进封装研发测试平台，供客户、高校和合作伙伴做下一代封装技术的共同开发、样品试制和性能验证。SK 海力士与普渡大学签了备忘录，共同研究系统集成和含 HBM 在内的先进封装技术。
动工仪式在普渡大学的 Holloway 体育馆举行，出席的有印第安纳州州长 Mike Braun、联邦参议员 Todd Young、普渡大学校长 Mitch Daniels 和韩国驻美大使 Kang Kyung-wha。Young 在发言里把这笔投资归到芯片与科学法案。官方没有公布投资的分年节奏和金额上限，补贴或税收抵免的规模、产能、将在印第安纳封装的 HBM 具体代际、供应商与客户名单同样没有给。